Пленка графена на подложке карбида кремния
| Спецификация эпитаксиальной графеновой плёнки | |
|---|---|
| Материал | Эпитаксиальный графен на SiC |
| Метод роста | Термодеструкция поверхности SiC |
| Политип подложки | 4H |
| Сопротивление подложки | >105 Ом⋅см |
| Лицевая сторона | Si (0001) |
| Размер образца | 5 мм ⨯ 5 мм, 11 мм ⨯ 11 мм |
| Покрытие поверхности SiC графеном | 100% |
| Покрытие поверхности SiC монослойным графеном | 90-95% |
| Средняя шероховатость поверхности (RMS) | < 1 нм (АСМ скан 10 мкм x 10 мкм) |
| Ширина террасы | 100-300 нм |
| Высота ступени | 0.5-2 нм |
| Тип проводимости | n |
* Цена продукции по запросу
| Epitaxial graphene film specification | |
|---|---|
| Material | Epitaxial graphene on SiC |
| Growth method | Thermal decomposition of SiC surface |
| Substrate polytype | 4H |
| Substrate resistivity | >105 Ohm⋅cm |
| Substrate orientation | Si (0001) |
| Sample size | 5 mm ⨯ 5 mm, 11 mm ⨯ 11 mm |
| SiC surface coverage by graphene | 100% |
| SiC surface coverage by monolayer graphene | 90-95% |
| Root mean square (RMS) of surface roughness | < 1 nm (AFM scan 10 µm x 10 µm) |
| Terrace width | 100-300 nm |
| Step height | 0.5-2 nm |
| Graphene conductivity type | n |