Пленка графена на подложке карбида кремния

Образцы эпитаксиального графена 5x5 мм и 11x11 мм на подложках 4H-SiC

Спецификация эпитаксиальной графеновой плёнки
Материал Эпитаксиальный графен на SiC
Метод роста Термодеструкция поверхности SiC
Политип подложки 4H
Сопротивление подложки >105 Ом⋅см
Лицевая сторона Si (0001)
Размер образца 5 мм ⨯ 5 мм, 11 мм ⨯ 11 мм
Покрытие поверхности SiC графеном 100%
Покрытие поверхности SiC монослойным графеном 90-95%
Средняя шероховатость поверхности (RMS) < 1 нм (АСМ скан 10 мкм x 10 мкм)
Ширина террасы 100-300 нм
Высота ступени 0.5-2 нм
Тип проводимости n

* Цена продукции по запросу

Epitaxial graphene film specification
Material Epitaxial graphene on SiC
Growth method Thermal decomposition of SiC surface
Substrate polytype 4H
Substrate resistivity >105 Ohm⋅cm
Substrate orientation Si (0001)
Sample size 5 mm ⨯ 5 mm, 11 mm ⨯ 11 mm
SiC surface coverage by graphene 100%
SiC surface coverage by monolayer graphene 90-95%
Root mean square (RMS) of surface roughness < 1 nm (AFM scan 10 µm x 10 µm)
Terrace width 100-300 nm
Step height 0.5-2 nm
Graphene conductivity type n